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小信號(hào)開關(guān)二極管
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小信號(hào)

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小信號(hào)肖特基二極管
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

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N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
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平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT微溝槽單管產(chǎn)品——光儲(chǔ)充新能源應(yīng)用

IGBT微溝槽單管產(chǎn)品——光儲(chǔ)充新能源應(yīng)用 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、TO-247封裝50A 650V IGBT單管；
2、電壓等級(jí)為650V，電流等級(jí)為50A@Tc=100℃；
3、主要用于光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用；
4、低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗，高可靠性；
5、采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
2、正溫度系數(shù)；
3、具有650V的高耐壓；
4、低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗，滿足高頻應(yīng)用條件；
5、最新一代微溝槽芯片設(shè)計(jì)方案，更具性價(jià)比的選擇；

規(guī)格書

DGW50N65CTL0

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